2021年是DDR内存技術升級換代的快速發展階段,自2020年以來,5G、AI、汽車、電競市場需求的居高不下,加速推動了DDR産品疊代以及技術升級。2020年7月中旬JEDEC固态存儲協會正式發布DDR5 SDRAM内存标準規範後,DDR5新技術應用受到業内的關注以及專業領域的探索。
江波龍電子(以下簡稱“Longsys”)緊跟存儲技術發展前沿,為了滿足行業的專業人士以及廣大用戶對未來産品技術發展的期望,進而為存儲行業應用的未來提供更多可能性,與3月16日正式發布Longsys DDR5内存模組産品(ES1)。此外,Longsys旗下高端消費類存儲品牌Lexar雷克沙也将為終端用戶實際應用落地提供強有力的支持。
DDR5内存最高速率可達6400Mbps
是DDR4的兩倍
此次DDR5的産品發布,涉及兩款全新架構産品原型,分别是1Rank x8和2Rank x8标準型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。相較于DDR4,DDR5在功能和性能上都得到了顯著提升。
全方位數據測試
性能穩定突出
Longsys DRAM研發經過多年的潛心積累,在DDR5新一代産品上率先開展測試技術投入,此次測試特别選取了部分測試數據首次面向公衆開放。其中,展示的測試實例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB開發闆,搭配Longsys DDR5 32GB内存模組,并配置Windows 10 Pro x64操作系統,分别通過魯大師和AIDA64兩個熟知的軟件展示DDR5的真實數據。
(通過BIOS了解到DDR5新架構采用了兩個完全獨立的32位通道)
① 魯大師測試數據
首先呈現的是硬件配置,内存識别為Longsys ID。
通過魯大師測試,Longsys DDR5 32GB 的跑分高達19萬分有餘。
② AIDA64測試數據
通過測試,能夠獲取到Longsys DDR5 32GB 讀/寫/拷貝/延遲的性能跑分。
為了更加直觀地體現性能的提升力度,還加入了DDR4的測試對比。根據數據顯示,Longsys DDR5在性能上實現了跨越式提升。
核心指标揭秘
Longsys DDR5新技術強大之處
糾錯能力增加
在優化DDR5 DRAM内核運算能力上,Longsys DDR5增加内置糾錯碼(ECC),全面實現數據糾錯能力,進一步提高數據完整性,同時也緩解了系統錯誤校正負擔并充分利用DRAM讀寫的高效機制。
增加16n的預取模式
BL16使得Longsys DDR5内存的并發性在DDR4的基礎上提升了一倍,信号能夠更完整高效地傳遞。本次DDR5 DIMM新架構采用了兩個完全獨立的32位通道,提高了并發性,并使系統中可用的内存通道增加了一倍。
端到端的接收模式的強化
在DDR5新技術應用中除了DQ/DQS/DM繼續采用ODT功能,增加CA、CS類信号也使用了ODT。因此,Longsys DDR5内存進一步減少了信号脈沖的反射幹擾效應,讓信号傳輸更加純淨。
DDR5 Bank Group 翻倍
DDR5内存使Bank Group的數量增加了一倍,并且每個Group的Bank數量保持不變。Longsys DDR5 BG提供更少的訪問延遲,加倍提高了系統的整體效率,允許更多頁面同時被打開。
SAME-BANK Refresh刷新模式
Longsys DDR5根據标準還實現了一個新特性,稱為SAME-BANK Refresh(同步刷新)。此命令允許刷新每個BG中的一個Bank,使所有其他Banks保持打開狀态以繼續正常操作。
Lexar雷克沙 DDR5 内存模組産品(ES1)
随着全球大量資本進入電競市場,促進了電競行業日漸普及與成熟,這也讓電競玩家對内存等電腦配件的性能有了更高的追求。而Lexar雷克沙 DDR5的面世,不僅能夠助力電競玩家擁有更流暢的電競體驗,亦能帶動電競行業的可持續性發展。非但如此,對于白領用戶,特别是設計師、剪輯師等對設備性能有剛需的職業,Lexar雷克沙DDR5可有效提高辦公效率,将更多時間留給創造性工作。
盡管Lexar雷克沙内存産品線起步較晚,但能夠在技術創新的征途上愈戰愈勇,源于Longsys專注存儲行業20餘年的技術底蘊,以及打造高品質存儲産品的決心。截止2021年3月12日,Longsys申請專利總數達到838個,其中境外專利申請178項;已授權且維持有效專利411項、其中境外授權且維持有效專利83項;軟件著作權65項。在緊握自主創新能力的同時,注重對知識産權的保護。
未來,Lexar雷克沙内存産品線仍将精益求精,持續提供更多的DDR5産品規格和技術服務,助力終端用戶投入DDR5到更多的應用場景中,為存儲生态領域增添色彩。
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