随着市場對快充适配器功率密度的不斷追求，适配器的開關頻率逐漸提升，從而縮小内部元件體積。傳統的Si MOS器件，開關損耗和驅動損耗已經明顯拉低了适配器的轉換效率，器件限制不能繼續提高工作頻率，進而限制了磁性元件的縮小，不能進一步提升适配器的功率密度。

作為一家全球領先的氮化镓功率器件IDM原廠，英諾賽科已經推出多款氮化镓快充方案，通過InnoGaN 器件替換Si MOS，提高了快充适配器的轉換效率和功率密度，英諾賽科InnoGaN 産品已經獲得Anker、倍思、綠聯、閃極、努比亞、魅族、Lapo、摩米士、ROCK、飛頻等數十家知名品牌和廠商的上百款産品采用，出貨量位居全球前三，市場反饋良好。

近期，英諾賽科 InnoGaN 家族迎來了三名新成員，分别是INN040LA015A、INN100W032A、INN650D080B，均為E-mode器件，耐壓值分别為40V、100V、650V，面向不同的應用場景，實現系統的高效率。

這次的三款芯片延續了 InnoGaN 家族低導通電阻、封裝寄生參數小、超快開關速度、無反向恢複等諸多優點，為實現系統的高效率而生。下面充電頭網分别對這三款新品進行介紹，幫助大家了解産品特點。

作為快充市場的重要組成部分，DC-DC電源芯片在衆多領域都發揮着不可或缺的作用，比如氮化镓多口快充、車充、充電寶、戶外電源、電動工具等。英諾賽科面向DC-DC等應用場景推出了增強型氮化镓場效應管 INN040LA015A，實現更高的功率密度。

英諾賽科 INN040LA015A耐壓40V，導阻1.5mΩ，可在-40℃到150℃下工作。采用晶圓級FCLGA 5x4mm封裝，相比傳統封裝MOS管體積大大縮小，同時其優化的走線更加方便高頻大電流布線，擁有超低的寄生電容、無反向恢複。

同步整流通過将傳統肖特基二極管替換成MOS管，由專用的控制器驅動MOS管根據次級輸出電壓控制導通和關閉，能夠将傳統肖特基二極管接近1V的壓降降低到隻有幾十mV，有效降低次級整流的損耗，從而降低整流元件的損耗和溫升。

英諾賽科面向同步整流、D類音頻、高頻DC-DC轉換器等應用場景推出了增強型氮化镓功率管 INN100W032A，适用于充電寶、戶外電源、通信基站、電機驅動器等産品領域，降低驅動損耗，提高工作頻率。

英諾賽科 INN100W032A采用 GaN‑on‑Silicon E‑mode HEMT技術，有着極低的栅極電荷和超低導通電阻。耐壓100V，導阻3.2mΩ，連續電流60A，脈沖電流可達230A，能夠适應-40℃到150℃工作環境，零反向恢複電荷。采用FCSP 3.5mm x 2.13mm極小封裝，大大節省占闆面積。

英諾賽科 INN650D080B 是一款增強型功率管，有着超高的開關頻率，采用ESD防護設計，符合REACH 、RoHS規範，通過 JEDEC标準認證，可用于工業領域。應用場景有 AC‑DC轉換器、DC‑DC轉換器、初級開關管、PFC升壓、圖騰柱無橋PFC、快充電池等。

英諾賽科 INN650D080B 采用DFN 8x8封裝，耐壓650V，導阻80mΩ，連續電流30A，脈沖電流可達59A，能夠适應-55℃到150℃工作環境，有着低栅極電荷、低輸出電荷的優點，提升電源轉換效率。

英諾賽科成立于2015年12月，是國家級高新技術企業，緻力于研發和生産8英寸矽基氮化镓晶圓與氮化镓功率器件；是全球領先的氮化镓IDM 企業。經驗豐富的氮化镓領域優秀團隊、先進的8英寸制造工藝、加上系統的研發品控分析能力，造就了品質一流和性能優越的氮化镓産品，市場競争力遙遙領先。

作為一家國産矽基氮化镓廠商，英諾賽科目前已經建成全球最大的氮化镓工廠，業界對其發展潛力十分看好。自從2017年建立全球首條8英寸增強型矽基氮化镓功率器件量産線以來， 英諾賽科已經發布和銷售多款40V-650V的氮化镓功率器件，産品的各項性能指标均達到國際先進水平，能廣泛應用于多個新興領域， 如快充、手機、數據中心、激光雷達等等。