逆變器工作原理

輸入接口部分：

輸入部分有3個信号，12V直流輸入VIN、工作使能電壓ENB及Panel電流控制信号DIM。VIN由Adapter提供，ENB電壓由主闆上的MCU提供，其值為0或3V，當ENB=0時，Inverter不工作，而ENB=3V時，Inverter處于正常工作狀态；而DIM電壓由主闆提供，其變化範圍在0～5V之間，将不同的DIM值反饋給PWM控制器反饋端，Inverter向負載提供的電流也将不同，DIM值越小，Inverter輸出的電流就越大。

電壓啟動回路：

ENB為高電平時，輸出高壓去點亮Panel的背光燈燈管。

PWM控制器：

有以下幾個功能組成：内部參考電壓、誤差放大器、振蕩器和PWM、過壓保護、欠壓保護、短路保護、輸出晶體管。

直流變換：

由MOS開關管和儲能電感組成電壓變換電路，輸入的脈沖經過推挽放大器放大後驅動MOS管做開關動作，使得直流電壓對電感進行充放電，這樣電感的另一端就能得到交流電壓。

LC振蕩及輸出回路：

保證燈管啟動需要的1600V電壓，并在燈管啟動以後将電壓降至800V。

輸出電壓反饋：

當負載工作時，反饋采樣電壓，起到穩定Inventer電壓輸出的作用。

其實你可以想象一下了。都有那些電子元件需要正負極，電阻，電感一般不需要。二極管一般壞的可能就是被擊穿隻要電壓正常一般是沒有問題的，三極管的話是不會導通的。穩壓管如果正負接反的話就會損壞了，但一般有的電路加了保護就是利用二極管的單向導通來保護。在就是電容了，電容裡有正負之分的就是電解電容了，如果正負接反嚴重的話其外殼發生爆裂。

主要元件二極管。開關管振蕩變壓器。取樣。調寬管。還有振蕩回路電阻電容等參開關電路原理。

逆變器的主功率元件的選擇至關重要，目前使用較多的功率元件有達林頓功率晶體管（BJT），功率場效應管（MOSFET），絕緣栅晶體管（IGBT）和可關 斷晶閘管（GTO）等，在小容量低壓系統中使用較多的器件為MOSFET，因為MOSFET具有較低的通态壓降和較高的開關頻率，在高壓大容量系統中一般 均采用IGBT模塊，這是因為MOSFET随着電壓的升高其通态電阻也随之增大，而IGBT在中容量系統中占有較大的優勢，而在特大容量（100KVA以 上）系統中，一般均采用GTO作為功率元件 。

大件：場效應管或IGBT、變壓器、電容、二極管、比較器以及3525之類的主控。交直交逆變還有整流濾波。

功率大小和精度，關系着電路的複雜程度。

IGBT（絕緣栅雙極晶體管）作為新型電力半導體場控自關斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中獲得極廣泛的應用。與此同時，各大半導體生産廠商不斷開發IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠性、低成本技術，主要采用1um以下制作工藝，研制開發取得一些新進展。

1、全控型逆變器工作原理

為通常使用的單相輸出的全橋逆變主電路，交流元件采用IGBT管Q11、Q12、Q13、Q14。并由PWM脈寬調制控制IGBT管的導通或截止。

當逆變器電路接上直流電源後，先由Q11、Q14導通，Q1、Q13截止，則電流由直流電源正極輸出，經Q11、L或感、變壓器初級線圈圖1-2，到Q14回到電源負極。當Q11、Q14截止後，Q12、Q13導通，電流從電源正極經Q13、變壓器初級線圈2-1電感到Q12回到電源負極。此時，在變壓器初級線圈上，已形成正負交變方波，利用高頻PWM控制，兩對IGBT管交替重複，在變壓器上産生交流電壓。由于LC交流濾波器作用，使輸出端形成正弦波交流電壓。

當Q11、Q14關斷時，為了釋放儲存能量，在IGBT處并聯二級管D11、D12，使能量返回到直流電源中去。

2、半控型逆變器工作原理

半控型逆變器采用晶閘管元件。Th1、Th2為交替工作的晶閘管，設Th1先觸發導通，則電流通過變壓器流經Th1，同時由于變壓器的感應作用，換向電容器C被充電到大的2倍的電源電壓。按着Th2被觸發導通，因Th2的陽極加反向偏壓，Th1截止，返回阻斷狀态。這樣，Th1與Th2換流，然後電容器C又反極性充電。如此交替觸發晶閘管，電流交替流向變壓器的初級，在變壓器的次級得到交流電。

在電路中，電感L可以限制換向電容C的放電電流，延長放電時間，保證電路關斷時間大于晶閘管的關斷時間，而不需容量很大的電容器。D1和D2是2隻反饋二極管，可将電感L中的能量釋放，将換向剩餘的能量送回電源，完成能量的反饋作用。