顯微鏡基本原理圖-tft每日頭條

掃描電子顯微鏡（SEM）

掃描電鏡成像是利用細聚焦高能電子束在樣件表面激發各種物理信号，如二次電子、背散射電子等，通過相應的檢測器來檢測這些信号，信号的強度與樣品表面形貌有一定的對應關系，因此，可将其轉換為視頻信号來調制顯像管的亮度得到樣品表面形貌的圖像。

顯微鏡基本原理圖（超級直觀的顯微分析設備原理動圖）1

SEM工作圖

入射電子與樣品中原子的價電子發生非彈性散射作用而損失的那部分能量（30～50eV）激發核外電子脫離原子，能量大于材料逸出功的價電子從樣品表面逸出成為真空中的自由電子，此即二次電子。

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電子發射圖

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二次電子探測圖

二次電子試樣表面狀态非常敏感，能有效顯示試樣表面的微觀形貌，分辨率可達5～10nm。

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二次電子掃描成像

入射電子達到離核很近的地方被反射，沒有能量損失；既包括與原子核作用而形成的彈性背散射電子，又包括與樣品核外電子作用而形成的非彈性背散射電子。

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背散射電子探測圖

用背反射信号進行形貌分析時，其分辨率遠比二次電子低。可根據背散射電子像的亮暗程度，判别出相應區域的原子序數的相對大小，由此可對金屬及其合金的顯微組織進行成分分析。

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EBSD成像過程

透射電子顯微鏡（TEM）

透射電鏡是把經加速和聚焦的電子束投射到非常薄的樣件上，電子與樣品中的原子碰撞，而改變方向，從而産生立體角散射。散射角的大小與樣品的密度、厚度相關，因此，可以形成明暗不同的影像，影像将在放大、聚焦後在成像器件上顯示出來。

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TEM工作圖

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TEM成像過程

STEM成像不同于平行電子束的TEM，它是利用聚集的電子束在樣品上掃描來完成的，與SEM不同之處在于探測器置于試樣下方，探測器接收透射電子束流或彈性散射電子束流，經放大後在熒光屏上顯示出明場像和暗場像。

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STEM分析圖

入射電子束照射試樣表面發生彈性散射，一部分電子所損失能量值是樣品中某個元素的特征值，由此獲得能量損失譜（EELS），利用EELS可以對薄試樣微區元素組成、化學鍵及電子結構等進行分析。

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