功率器件是電力電子行業的重要基礎元器件之一，管理着全球超過50%的電能資源，廣泛應用于電力設備的電能轉化和電路控制等領域，是工業體系中不可或缺的核心半導體器件。

據數據，2021年全球功率半導體器件市場大約175億美元，2026年将增長至262億美元，複合增速達到6.9%。其中，增量較大的主要是IGBT模塊、SiC模塊、MOSFET和GaN産品。

其中，矽基MOS市場規模将從2021年的75億美元增長至2026年的94億美元，複合增速為3.8%，IGBT市場規模将從54億美元增長至2026年的84億美元，複合增速為7.5%，SiC模塊市場規模從2020年的5億美元以下增長至2026年的20億美元以上，而矽基MOS、IGBT和SiC 模塊主要增長的下遊驅動均來自于電動車和工業（主要是光伏、風電和儲能）領域。

功率半導體類别及市場規模：

低端産品已實現部分國産替代，高端分立器件國産化空間廣闊。對國内市場而言，功率二極管、功率三極管、晶閘管、中低壓MOSFET等分立器件産品部分已實現國産化，而功率MOSFET特别是高壓超級結MOSFET、IGBT等高端分立器件産品由于其技術及工藝的複雜度，還較大程度上依賴進口，國産化率低，未來進口替代空間巨大。

全球範圍來看，IGBT市場呈現寡頭壟斷格局，前五企業均為海外廠商，占據了全球近70%的市場份額。

英飛淩作為全球IGBT龍頭，在IGBT分立器件、模塊和IPM領域領先地位突出，加上富士電機、安森美、東芝、三菱、瑞士ABB等國外廠商，共同形成了高集中度的市場結構。

截至2020年底，在最大的IGBT模塊市場中，英飛淩裝機量市占率達到近40%，在IGBT分立器件與IPM市場中占比同樣超過30%。

國内廠商僅有比亞迪微電子、斯達半導及中車時代電氣三家企業入圍市場份額TOP10，國産化率較低。

在新能源汽車領域，随着市場對于整車性能要求的迅速提高，車規級IGBT呈現出高電壓、高效率、高功率密度和高可靠性的“四高”特性。

未來，IGBT行業會在精細化技術、超結技術、高結溫終端技術、先進封裝技術、功能集成技術等方向進一步探索，實現尺寸厚度、功率密度、驅動效率、結溫、可靠性等方面的優化，不斷降低生産成本。

中國《新能源汽車産業發展規劃（2021—2035年）》提出新能源汽車發展願景，計劃到2025年，國内新能源汽車滲透率達到20%。

基于國家相關政策中提出核心元器件國産化的要求，随着供應鍊自主安全意識的加強，IGBT作為半導體器件突出代表成為重點發展對象，有望迎來高速發展，國産替代也将成為未來IGBT行業發展的主旋律之一。