三星exynos2200芯片跑分曝光-tft每日頭條

1月31日，據韓媒Joongang報道，三星正在開發新一代旗艦級Exynos芯片，預計采用第二代3nm GAA晶圓技術，或在Galaxy S25系列機型上首次搭載。在Galaxy S22系列上，三星放棄了自研旗艦芯片的策略，全球市場都轉向了高通骁龍8系移動平台，但Exynos芯片的開發并未停止。

三星exynos2200芯片跑分曝光（三星芯片還沒完）1

（圖片來自：pexels）

在經曆過短暫輝煌時期後，三星的自研芯片之路越走越“黑暗”，Exynos 2100、2200兩款旗艦芯片接連翻車後，三星也不得不在全球市場中推出僅搭載高通骁龍8系列移動平台的版本，以獲得更加平衡的體驗。不過，從最新消息來看，三星并未停止開發旗艦層級的自研芯片，有望在兩年後與高通、蘋果正面競争。三星預計在新一代Exynos旗艦芯片中運用第二代3nm GAA晶圓技術，并繼續配備來自AMD的RDNA2 GPU，性能表現值得期待。

三星exynos2200芯片跑分曝光（三星芯片還沒完）2

（圖片來自：pexels）

當然，Exynos芯片接連兩代“翻車”，主要還是自家工藝要背鍋。Exynos 2200采用三星自家4nm制程工藝打造，三叢集架構，1顆Cortex-X2大核心、3顆A710能效核心和4顆A510節能小核心組成。這樣的組合與高通骁龍8 Gen1相差無幾，兩者采用了同款制程工藝，功耗均超過了10W，發熱量可想而知。與PC産品不同，智能手機内部空間寸土寸金，過高的功耗使機身發熱量劇增，間接對手機的持續性能表現造成影響，這也就是為何移動平台芯片的能耗比會更受市場的關注。

三星exynos2200芯片跑分曝光（三星芯片還沒完）3

（圖片來自：pexels）

事實上，三星正在開發的第一代3nm GAA晶圓技術也并不被人們看好，尤其是初期良率僅有可憐的30%，完全無法和台積電FinFET 3nm技術的70%-80%良率相比。但三星半導體透露，已經通過新工藝提升了GAA技術的良率，至于表現到底如何，還得從量産産品的實測表現才能得知。

同為代工廠，三星與台積電之間的較量從未停止過，而三星在移動平台上真正獲得認可的也隻有Exynos 4412和Exynos 7420，這兩款芯片的最大優勢正是采用了較竟品更先進的工藝。就像采用了14nm制程工藝的Exynos 7420，能效比可要比采用了20nm制程工藝的骁龍810表現好得多。三星打算再一次通過領先友商的制程工藝實現性能越級，這個套路并不令人感到意外，但GAA晶圓技術距離成熟還有很長的路要走，三星這麼快就“誇下海口”，似乎還有點早。

（封面圖片來自：pexels）