近日，Rambus宣布與兆易創新（GigaDevice）合作在中國建立一家名為“Reliance Memory”的合資企業，以實現電阻式随機存取存儲器（RRAM）技術的商業化。

據了解，RRAM是一種非易失性存儲器，基于一種新的半導體材料，依賴于溫度和電壓來存儲數據，通過改變獨特的固體介質材料的電阻來工作。

RRAM及其制造的半導體允許芯片堆疊在彼此之上，使得存儲器和邏輯組件以不能複制的方式靠近在一起。這些3D“高層”芯片可以解決大數據處理延遲，同時延長未來移動設備的電池壽命，提供更快，更高能效的解決方案。

與傳統的嵌入式非易失性存儲相比，RRAM的能耗更低，而且讀寫速度更是NAND存儲器的1萬倍，這使得它成為物聯網 (IoT) 應用的理想選擇，因為物聯網産品的應用對低功耗效能要求非常之高。

資料顯示，Rambus是一家美國芯片設計公司，成立于1990年。Rambus創建之初便緻力于高端存儲産品的研究與開發，擁有2500項專利。由于其在内存技術上的先進性，Rambus還與三星、美光、東芝、NVIDIA、AMD、Intel、西數等多家半導體巨頭成為了合作夥伴。不過，Rambus也曾與許多電腦内存芯片制造商對簿公堂。

2015年，Rambus開始重組，并将業務擴展至芯片設計以外的領域，授權公司出售自己品牌及由供應商生産的授權芯片，包括美光、AMD等。

而兆易創新作為國内NOR Flash存儲器芯片龍頭企業，主營業務為閃存芯片及其衍生産品、微控制器産品的研發、技術支持和銷售。

其産品廣泛應用于手持移動終端、消費類電子産品、物聯網終端、個人電腦及周邊，以及通信設備、醫療設備、辦公設備、汽車電子及工業控制設備等領域。

近年來，兆易創新正在積極布局DRAM領域，目前與合肥産投合作的長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目，正在加快建設中。該項目的工藝制程為19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器（含 DRAM 等）研發項目，目标是在2018年12月31日前研發成功，即實現産品良率（測試電性良好的晶片占整個晶圓的比例）不低于10%。

長鑫存儲技術有限公司董事長、睿力集成電路有限公司首席執行官王甯國此前表示，第一顆“合肥造”19納米級12英寸DRAM工藝存儲器有望年内下線，明年底産能達到每月2萬片。

對于此次與Rambus成立合資公司， 兆易創新的CEO朱一鳴表示，“此次戰略投資的目的是為我們GD32微控制器系列及其他未來的嵌入式産品的應用（如物聯網）提供新的存儲器解決方案。”

Rambus的CEO Ron Black博士指出，通過合作，Rambus和兆易創新将會使這家合資企業能夠為下一波最先進的移動設備提供創新的存儲器解決方案。