光刻技術很重要嗎-tft每日頭條

如前所述，集成電路的精細程度，取決于光刻中光在膠上刻出的窗口的精細程度，那麼顯然以光作刀的這種光，應當是越鋒利越好，也就是波長越短越好。

大家知道，在可見光範圍内，紅橙黃綠青藍紫，依次頻率越來越高，波長越來越短。如果再繼續延伸，就到了人們用眼睛看不見的紫外光，波長就更短。因此，光刻中用于曝光的光，最早就是紫外光，然後一步一步縮短，進而用深紫外光，現在最先進的荷蘭SDML光刻機用的是極紫外光(又叫遠紫外光、EUV)。

最早作為曝光光源使用的高壓汞燈，産生的紫光波長先後有436nm(即0.436μm)和365nm兩種。接下來用準分子激光器産生的深紫外激光，分别是KrF準分子深紫外激光248nm，ArF準分子深紫外激光193nm，F2準分子深紫外激光157nm。之所以稱之為準分子，是因為氪Kr、氩Ar都是惰性氣體元素，惰性元素是不應當與氟F元素形成化合物的，隻不過在激光器中它們與氟F按照1:1的比例混合，分别構成類似于化合物的KrF和ArF；同樣道理氟元素F本來是單身主義者F，為了表示它與傳統意義上的氟氣體不同而寫成了F2。這些都是無法以分子的形式單獨混迹于江湖的合夥集團，所以稱之為準分子。現在最先進的光刻機所使用的光源波長隻有13.5nm，稱為超紫外光；至于這種超紫外光是怎麼産生的，後面的篇幅會有交待。中國台灣的台積電公司和韓國的三星公司，就是利用以這種13.5nm波長的超紫外光光源的光刻機，制作出了5nm精度的集成電路，并且他們還正在繼續用它向3nm的尺度沖擊。

由于微米μm、納米nm的尺度與我們周圍物體的大小，相差太遠，所以大家對于它們沒有真實的感覺。為了便于大家形象思維，首先提醒大家，1米等于1000毫米，1毫米等于1000微米，1微米等于1000納米，即1m=1000mm, 1mm=1000μm, 1μm=1000nm；接下來，我将微米μm和納米nm，與我們相對略微熟悉一些的東西做個比較。

不過，我僅制作下面一個尺度分布表，讓大家自己去比較。至于比較後的感覺，作為課後作業留給大家。不是大家都聽說過嗎，滿堂灌的方式很不好。

光刻技術很重要嗎（光刻與光刻機知識通俗系列介紹）1