最近看新聞有很多報道中韓半導體的内容甚是吸引讀者。前幾天有報道三星電子在國内的銷售額超過北美。這其中大部分是半導體的需求。華為也首次進入三星電子五大客戶的名單之中，實在讓韓國人又牛氣了一把。那麼在内存半導體技術方面，中韓之間的差距到底有多大？本篇文章将起底中韓半導體的技術水平。
首先來看一下銷量占比最大的DRAM（動态随機存取存儲器）。其技術目前已經達到了微細化的水平。現在10納米級後半代已經開始量産。通常一張晶片上良品率确保達到80%以上才可以量産。
從20納米過渡到18納米，韓國公司的開發時間大約為2年。即使開發完成後要想确保達到80%的良品率還需要1年~1年半的時間。因為這個過程是重疊的，所以每代産品需要2年~2年半的時間差。即DRAM領先一代就相當于存在2年~2年半的技術差距。
再來看一下國内DRAM企業睿力集成（ INNOTRON）的情況。初期産品是20納米級前代的DRAM，生産效果驗證持續了6個月，如果增加到月産量10萬張規模的話驗證時間還要更長。正常量産應該在明年年末。現在與三星技術相比落後3代（6~7年半），與SK海力士相比落後2代（4~5年）。
這還是在明年按計劃量産情況下的假定，即使量産之後能不能縮小技術差距是另一個問題。在睿力集成任職的技術人員大部分是台灣技術者，他們的DRAM開發經驗并不是很豐富。
那麼清華紫光集團旗下的長江存儲（YMTC）是什麼情況呢？ NAND閃存是其旗艦産品。 該公司的技術領導者是南亞科技，它是台灣第一家推出DRAM的公司。 集成了鎂光的技術并建立南亞易勝。 它知道DRAM的技術到底有多難。
清華紫光也因此從相對容易的NAND閃存開始。 他們的技術能力似乎落後于業界第一的三星大概4~5年。 如果從技術追趕的角度來看，它不具備完備的開發人力，并由經驗不足的台灣工程師構成，運營能力不及韓國工廠，所以要想縮小技術差距并不容易。 短期内将持續三到四年的技術差距。
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