在理解PN結、二極管、光敏二極管的基礎上理解三極管會更加自然。
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Ube>0.5，發射結内電場減小，發射區電子進入基區，形成發射結電流，基區電子增多，這部分對應PN結正向特性。cb之間加上反向電壓，增加集電結内電場，一部分進入基區的電子經過擴散再由集電結内電場抽到集電區，形成集電結電流，這部分對應PN結反向截止特性。還有一部分電子形成基極電流。如果在cb之間加上正向電壓，為了能把基區電子抽到集電區，集電結内電場須存在，集電結正偏的電壓不能超過0.5。 |
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Ueb>0.5，發射結導通，發射區空穴進入基區，形成發射結電流。在cb之間加上反向電壓，增加集電結内電場，進入基區的空穴抽到集電區，形成集電結電流。還有一部分空穴形成基極電流。如果在cb之間加上正向電壓，為了能把基區空穴抽到集電區，集電結内電場須存在，集電結正偏的電壓不能超過0.5。 |
正常情況下PN結反向截止電流很小，集電結幾乎無電流。當發射結導通，大量電子（空穴）注入基區，使基區的少子變多，導電性能增加，所以集電結反偏也有大電流。如光敏二極管，光照時産生大量電子空穴對，使少子增加，PN結反偏電流變大；而三極管則是直接把發射區的電子（空穴）注入基區增加少子。
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