現在很多固态硬盤中的NAND閃存均采用TLC(3bits/cell), TLC NAND閃存引入雖然給固态硬盤帶來價格的優勢，更利于固态硬盤的普及。但是，TLC NAND閃存也帶來了負面的影響。由于TLC NAND閃存在讀寫操作時比MLC NAND更複雜，帶來更大的延遲，最終的結果就是，與基于MLC NAND的固态硬盤相比，基于TLC NAND的固态硬盤的讀寫性能要遜色很多。這怎麼辦？人類智慧沒有頂點，看三星如何應對。
三星從EVO 840固态硬盤之後加入了TurboWrite功能。Turbo Write的核心内容就是引入SLC NAND和TLC NAND的組合，利用SLC NAND快速讀寫的特性來提升基于TLC NAND的固态硬盤的性能。具體結構如下圖：
上面表格中的數據已通過三星嚴格的評估，足以應對所有日常應用場景對性能的需求。
介紹了TurboWrite技術的引入背景以及工作原理，那麼，TurboWrite究竟能對固态硬盤性能的提升效果有多少呢？我們讓實驗數據說話。
對于三星840固态硬盤前一代産品，840 EVO固态硬盤最大的優勢就是大幅度升級了固件算法，加入了 TurboWrite技術。采用TurboWrite之後，840 EVO固态硬盤的順序寫的速度有大幅度的提升。不過，對于不同的固态硬盤的容量，TurboWrite帶來的影響也會稍有不同。對于120GB容量的固态硬盤，TurboWrite的加入，對順序寫的速度提升了3倍之多。對于250GB容量的固态硬盤，TurboWrite技術的加入，對順序寫的速度提升了2倍。而對于512GB容量的固态硬盤，TurboWrite技術對順序寫的提升幅度最小，但也有1.6倍。
總的來說，TurboWrite技術對于基于TLC NAND的固态硬盤來說絕對是個福音。另外，在存儲行業内，針對基于TLC NAND固态硬盤的性能的提升不止有三星TurboWrite技術，其他的主控廠商也有類似的優化技術，在這裡就不贅述了。有興趣的朋友可以自行了解一下。
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