許多電腦玩家都通過看内存條的時序的CL值來分辨内存條的好壞,認為同一代的内存條CL值越大,内存條越渣,越小就越好。其實這是片面的,太草率了。
今天我們要深入的來看看内存條時序,講一講你一些你不知道的事。放心,我不會扯一大堆度娘上都有的理論。因為我懶得扯那些,我看了都頭暈目眩。接下來講的都是重點,有助于你了解内存條的時序,并通過它們選擇内存條。
下面我們以阿斯加特(Asgard)的兩款内存條為例。
1.洛極系列(OC)内存條。
這OC何意?Over Clock,超頻的意思。這款采用專為超頻的私版設計,8-10層PCB保證了良好的電氣性能,海力士和鎂光的顆粒使得性能穩定強勁,外有高品質寒光散熱護甲,擁有七彩效果,非常酷炫。洛極8G 2400MHZ内存條,超頻上3000,才479。可以說性價比是内存條裡數得着的。
2.阿紮賽爾内存條。
這是一款位于内存性能金字塔頂端的内存條。不用多說,阿紮賽爾超頻到4233MHZ,這是史無前例的,足以證明其優秀了。
時序很吓人吧?
一般的内存條時序都是15-15-15-35。更有甚者,居然時序是14-14-14-XX。
看了這兩款内存條的時序過後,一些不太了解時序的朋友就吓屎了,“哎呀,CL值太差了,我都不好意思看了。”
“OK,那您就閉眼吧,反正睜眼沒用”。
需要了解内存條時序的朋友注意了,我們現在就來講講内存條時序到底對内存條的性能有何影響。
1.CL:列尋址所需的時鐘周期(表示延遲的長短)。(關于概念,我們還是點到為止,我們要講的都是實在的。)
确實是同頻率下,CL值越小内存條性能越好。從DDR1-4随着内存條的頻率越來越高,CL值也越來越大,但是其真實的CL延遲時間幾乎沒有什麼變化。這說明并不是CL值越大,内存條的CL延遲就越大,内存條就越差。從DDR1-4 CL值越來越大,相反說明CL越大,能上去的頻率越高。
我們來計算一下DDR1-4的CL延遲時間:
DDR-400 3-3-3-8:(3*2000)/400=15 ns
DDR2-800 6-6-6-18:(6*2000)/800=15 ns
DDR3-1333 9-9-9-24:(9*2000)/1333=13.5 ns
DDR4-2133 15-15-15-35:(15*2000)/2133=14 ns
我們再來算算洛極内存條的CL延遲時間:
DDR4-2133 16-16-16-36:(16*2000)/2133=15 ns
CL延遲時間是不是差距不大呢?那為什麼DDE4比DDR1-3性能好,當然是因為頻率啊。DDR4頻率比DDR1-3高。因此我們可以得出這個結論:CL值差不多的時候,頻率越高的内存條性能就越好。我們也可以得出在延遲時間一定的時候,放寬CL有可能使得内存條超頻到更高。
所以我們在選同一代的DDR内存條時,隻要CL值差距不大,那就甭管它,重要的是頻率,誰的超頻高,誰就牛B。(其實這個道理是顯而易見的,隻是有的朋友太看重CL了。
2.tRCD:行尋址和列尋址時鐘周期的差值。
tRCD值對内存最大頻率影響最大。内存條想要上到一個高的頻率,而如果不能加大電壓和放寬CL值,那麼就隻能把tRCD值增大。
現在的DDR4一般的1.2V,想要CL值好看,還想要内存條能超頻到更高,那就加大tRCD咯,還想要燈光效果,那就把時序統統的加大。
所以tRCD大不代表内存條差,相反代表内存條可以超到一個很高的頻率。(是不是讓那些喜歡時序都小得可憐的朋友有點失望了?)
3.tRP:在下一周期之前,預充電需要的時鐘周期。
雖然tRP的影響會随着頻繁操作一個bank而加大,但是它的影響也會被bank交叉操作和命令調配所削弱。放寬tRP有利于提高行址激活、關閉的命中率,正确率。放寬tRP可讓内存條的兼容性更好。
4.tRAS:對某行的數據進行存儲時,從操作開始到尋址結束需要的總時間周期。
此操作并不會頻繁發生,隻有在内存空閑或開始新一個任務的時候才使用它。tRAS值太小有可能導緻數據錯誤或丢失,太大的值則會影響内存性能。如果内存條負荷較大,一般可以稍微放寬tRAS值。
内存條的性能、功能的定位不同,時序就會不同。你的内存條隻要在2133MHZ運行,還不要燈效,還不顧兼容,再垃圾的廠家也能造出時序好看到極點的内存條。大家不妨去看看,是不是有的内存條明明很渣,但是時序好看得很。
不知道大家有沒有注意,凡是OC内存條(超頻厲害的内存條),燈條,它們的tRCD、tRP、tRAS一般都比較大。要超頻厲害,要燈光效果,還要保持很好的兼容性,必須适當的調節時序。
所以,大家以後别看到時序大就“哇”驚呆了,還妄言好壞,免得徒增笑耳。随着電腦内存條的頻率逐漸提升,時序變大是必然的。時序小,隻能證明超頻不行。頻率不行,怎麼伺候好CPU老爺呢!買内存條,就跟古時候買丫鬟似的,必須要長得标緻,手腳麻利,人美活好。
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