來源：央視新聞客戶端

碳化矽晶體是一種性能優異的半導體材料，在信息、交通、能源、航空、航天等領域具有重要應用。春節期間，中科院物理研究所科研團隊們正在探索用一種新的方法生長碳化矽晶體，研制情況如何？

在物理研究所的先進材料與結構分析實驗室，陳小龍和同事們正在對剛剛生長出來的碳化矽晶體進行分析研究。與傳統的氣相法不同，這個4英寸的碳化矽晶體采用的是最新的液相法生長而成。

中科院物理研究所研究員 陳小龍：它的優點就是生長溫度是比較低的，比如說在1700~1800攝氏度左右，那麼生長出來的晶體沒有微管這種大的缺陷，位錯密度也相對比較低一些。最重要的一個好處就是它生長出來的晶體良率比較高，就相當于變相地降低了每一片的成本。

相比同類矽基器件而言，碳化矽器件具有耐高溫、耐高壓、高頻特性好、體積小和重量輕等優點，在電動汽車、光伏、軌道交通、5G通信等領域具有重要的應用價值。多年來，陳小龍帶領團隊立足自主研發，從基礎研究到應用研究，突破了生長設備、高質量碳化矽晶體生長和加工等關鍵技術，實現了整套技術路線的自主可控。通過多年不懈攻關，科研團隊通過氣相法将碳化矽晶體直徑從小于10毫米不斷增大到2英寸、4英寸、6英寸和8英寸。

中國科學院物理研究所研究員 陳小龍：在2022年上半年，我們實驗室取得了8英寸碳化矽生長的突破，但是質量還是不夠高，還不能滿足器件對它的需求。從6寸把它發展到8寸，這樣在襯底上做出來的器件，就可以降低單個器件的襯底所占的成本，這是一個國際上發展的趨勢。

深耕碳化矽晶體生長，陳小龍團隊取得的成果帶動國内20多家外延、器件和模塊相關企業的成立和發展，形成碳化矽完整産業鍊，實現了我國寬禁帶半導體産業的自主可控。從事碳化矽晶片研發生産的北京天科合達，就源于物理研究所先進材料與結構分析實驗室的關鍵核心技術轉化，目前已發展為國内最大、國際第四的導電碳化矽襯底供應商。春節期間，車間高溫爐子裡正在生長的，就是已經實現大規模生産的6英寸碳化矽晶體。

北京天科合達半導體股份有限公司總經理 楊建：我們也接到了國内外6英寸大量的訂單和8英寸的小批量的訂單，這也是需要我們去完成的工作。8英寸的質量不能比6英寸的質量低，這也是客戶給我們提出來的一個明确的要求，所有的生産設備需要7×24小時開着，我們春節期間也不會停工和停産，一直會在工作。

目前，北京天科合達已向國内80多家企業及科研機構批量供應晶片，并大量出口至歐美和日本等20多個國家和地區。瞄準8英寸碳化矽下遊市場，公司已投入大量研發經費，力争在2023年實現8英寸碳化矽晶片小批量生産和供應。

北京天科合達半導體股份有限公司總經理 楊建：在新的一年裡，我們會繼續加大我們的研發投入，希望能夠在今年8英寸能夠實現批量化生産。

中國科學院物理研究所研究員 陳小龍：2023年希望我和我的團隊把碳化矽的晶體缺陷做得更低，在質量上有進一步的突破。

中國地理信息産業協會副會長 中科星圖總裁 邵宗有：新的一年，希望我們的數字地球能夠更多服務于老百姓的生産和生活。

中科院院士 中科院空天信息創新研究院院長 吳一戎：我們希望有更高分辨率、更高精度的對地觀測系統上天，服務于國家的發展。

（總台央視記者 帥俊全 褚爾嘉 韓文旸）