1.直流電可以通過震蕩電路變為交流電

2.得到的交流電再通過線圈升壓（這時得到的是方形波的交流電）

3.對得到的交流電進行整流得到正弦波

AC-DC就比較簡單了 我們知道二極管有單向導電性

可以用二極管的這一特性連成一個電橋

讓一端始終是流入的 另一端始終是流出的這就得到了電壓正弦變化的直流電 如果需要平滑的直流電還需要進行整流 簡單的方法就是連接一個電容Inverter是一種DC to AC的變壓器，它其實與Adapter是一種電壓逆變的過程。Adapter是将市電電網的交流電壓轉變為穩定的12V直流輸出，而Inverter是将Adapter輸出的12V直流電壓轉變為高頻的高壓交流電；兩個部分同樣都采用了目前用得比較多的脈寬調制（PWM）技術。其核心部分都是一個PWM集成控制器，Adapter用的是UC3842，Inverter則采用TL5001芯片。TL5001的工作電壓範圍3.6～40V，其内部設有一個誤差放大器，一個調節器、振蕩器、有死區控制的PWM發生器、低壓保護回路及短路保護回路等。

以下将對Inverter的工作原理進行簡要介紹：

輸入接口部分：

輸入部分有3個信号，12V直流輸入VIN、工作使能電壓ENB及Panel電流控制信号DIM。VIN由Adapter提供，ENB電壓由主闆上的MCU提供，其值為0或3V，當ENB=0時，Inverter不工作，而ENB=3V時，Inverter處于正常工作狀态；而DIM電壓由主闆提供，其變化範圍在0～5V之間，将不同的DIM值反饋給PWM控制器反饋端，Inverter向負載提供的電流也将不同，DIM值越小，Inverter輸出的電流就越大。

電壓啟動回路：

ENB為高電平時，輸出高壓去點亮Panel的背光燈燈管。

PWM控制器：

有以下幾個功能組成：内部參考電壓、誤差放大器、振蕩器和PWM、過壓保護、欠壓保護、短路保護、輸出晶體管。

直流變換：

由MOS開關管和儲能電感組成電壓變換電路，輸入的脈沖經過推挽放大器放大後驅動MOS管做開關動作，使得直流電壓對電感進行充放電，這樣電感的另一端就能得到交流電壓。

LC振蕩及輸出回路：

保證燈管啟動需要的1600V電壓，并在燈管啟動以後将電壓降至800V。

輸出電壓反饋：

當負載工作時，反饋采樣電壓，起到穩定Inventer電壓輸出的作用。

其實你可以想象一下了.都有那些電子元件需要正負極,電阻,電感一般不需要.二極管一般壞的可能就是被擊穿隻要電壓正常一般是沒有問題的,三極管的話是不會導通的.穩壓管如果正負接反的話就會損壞了,但一般有的電路加了保護就是利用二極管的單向導通來保護.在就是電容了,電容裡有正負之分的就是電解電容了,如果正負接反嚴重的話其外殼發生爆裂.

主要元件二極管.開關管振蕩變壓器.取樣.調寬管.還有振蕩回路電阻電容等參開關電路原理.

逆變器的主功率元件的選擇至關重要，目前使用較多的功率元件有達林頓功率晶體管（BJT），功率場效應管（MOSFET），絕緣栅晶體管（IGBT）和可關 斷晶閘管（GTO）等，在小容量低壓系統中使用較多的器件為MOSFET，因為MOSFET具有較低的通态壓降和較高的開關頻率，在高壓大容量系統中一般 均采用IGBT模塊，這是因為MOSFET随着電壓的升高其通态電阻也随之增大，而IGBT在中容量系統中占有較大的優勢，而在特大容量（100KVA以 上）系統中，一般均采用GTO作為功率元件

大件：場效應管或IGBT、變壓器、電容、二極管、比較器以及3525之類的主控。交直交逆變還有整流濾波。

功率大小和精度，關系着電路的複雜程度。

可以看一下手機充電器，這就是一個小開關電源！

IGBT（絕緣栅雙極晶體管）作為新型電力半導體場控自關斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中獲得極廣泛的應用。與此同時，各大半導體生産廠商不斷開發IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠性、低成本技術，主要采用1um以下制作工藝，研制開發取得一些新進展。