什麼是負電子親和勢光電陰極?表面勢壘低于導帶底的光陰極（如GaAs:Cs-O)表面勢壘高于導帶底的稱為正電子親和勢光陰極(如Sb-K-Na-Cs)；表面勢壘平于導帶底的稱為零電子親和勢光陰極，我來為大家科普一下關于什麼是負電子親和勢光電陰極?下面希望有你要的答案，我們一起來看看吧!
什麼是負電子親和勢光電陰極
表面勢壘低于導帶底的光陰極（如GaAs:Cs-O)。表面勢壘高于導帶底的稱為正電子親和勢光陰極(如Sb-K-Na-Cs)；表面勢壘平于導帶底的稱為零電子親和勢光陰極。
介紹：表面勢壘低于導帶底的光陰極（如GaAs:Cs-O)。表面勢壘高于導帶底的稱為正電子親和勢光陰極(如Sb-K-Na-Cs)；表面勢壘平于導帶底的稱為零電子親和勢光陰極。
1963年美國 R. E.西蒙斯根據半導體能帶理論提出負電子親和勢概念。1965年荷蘭J.J.席爾和J.範拉制成GaAs:Gs光陰極。人們又制出其他Ⅲ-Ⅴ族化合物光陰極，如 InP，GaxIn1-xAs(0xyIn1-yPzAs1-z（0yz2O,它與P型Ⅲ-Ⅴ族化合物晶體（如摻Zn的GaSb）接觸，形成異質結。此模型給出在表面吸附層内有一界面勢壘（約 1.2電子伏）。根據偶極子模型，Cs-O層是很薄的Cs偶極子與Cs2O偶極子串聯的雙偶極子,其厚度約8埃。這與單原子尺度的實驗是一緻的。
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