12位電平轉換芯片-tft每日頭條

GaN Systems日前宣布，瑞薩電子公司的新型汽車 48V/12V 雙向 DC/DC 轉換器選擇了其GaN（氮化镓）功率晶體管，從而顯着提高了功率密度。新轉換器采用 GaN Systems 的 GS61008P，一種 100V 增強模式 GaN-on-silicon 功率晶體管，可将系統尺寸縮小 46%。

瑞薩解決方案針對需要高效 48V/12V DC/DC 轉換器的 48V 輕度混合動力汽車和電動摩托車。 GaN 允許以高效率實現高開關頻率——這意味着更小的磁性元件和更小的尺寸。與使用 Si-MOSFET 相比，GaN Systems 的 GaN HEMT 可将 PCB 面積縮小 50%。

新轉換器的優勢包括：

通過利用 GaN Systems 晶體管的出色開關能力，PCB 面積減少了 46%，從而實現了具有 500kHz 高開關頻率的高效電源轉換器。這允許使用非常小的 1.3µH 電感器，以顯着減小尺寸和重量。

在廣泛的負載範圍内具有高效率。 GaN 與自動相位下降功能相結合，即使在低負載下也能實現高效的功率轉換，在 400W 至 3kW 的寬負載範圍内功率效率超過 94%。

ISL78226 PWM 控制器無需複雜的 DC/DC 轉換器控制軟件開發。

半橋驅動器 ISL78420/444 提供了一種簡單且具有成本效益的驅動 GaN 晶體管的方法。

12位電平轉換芯片（瑞薩4812雙向DCDC轉換器選擇GaN）1

GaN 首席執行官 Jim Witham 表示：“汽車客戶一直在尋求功率密度和成本方面的改進，而這種設計再次反映了 GaN 在更小、更高效和更具成本效益的設計中可以顯着提高功率密度。該設計來自瑞薩電子這一事實意義重大，因為他們是汽車半導體解決方案的市場領導者，在了解行業需求方面享有盛譽。這是将 GaN 技術的優勢帶給該客戶群的重要一步。”

雖然 GaN 在消費電子等行業具有重要的吸引力，但 GaN 正在成為混合動力和電動汽車中功率轉換和電池充電的首選技術。 GaN 以非常低的成本提供比矽和碳化矽更高的性能，從而可以經濟高效地減輕各種電動汽車的重量并提高效率。