晶圓表面抛光是一種對矽晶圓表面進行清潔、除去多餘的顆粒，并對表面進行平滑、去毛刺處理的工藝過程。 在制造過程中，為了避免制造缺陷造成芯片尺寸缺陷，需要使用一系列化學機械抛光工藝（CMP）對矽晶圓表面進行清潔和去毛刺處理。 為了保證矽片生産一緻性，在矽片生産前需要進行一系列表面清洗和去除殘留的顆粒雜質。在矽片生産時，也要進行多次的粗抛、細抛和抛光。

通過對抛光工藝的優化，可以有效地降低抛光成本，減少對其他加工工藝和設備的依賴。 晶圓表面抛光一般分為：濕抛（化學機械抛光）法、濕膜預光罩（MBE）法、幹光罩（PIP）法等。 濕抛過程中由于要在矽片上不斷施加化學機械力，使得矽片受到機械應力而産生變形甚至斷裂的情況；由于濕膜預光罩不能很好地消除薄膜中存在的氣泡缺陷和薄膜表面的應力，導緻濕膜預光罩工藝效率較低。

1.濕抛

矽片濕抛工藝（CMP）是利用研磨抛光工具（如金剛石或粗抛光工具）在矽片表面施加化學機械力，從而去除表面缺陷和氧化層，使其粗糙度得到提高。 CMP法的優勢在于： 可以獲得更高程度的均勻表面； 可以減少矽片的變形； 降低加工成本； 對矽片表面無損傷，且不會造成表面質量問題。

2.濕膜預光罩（MBE）法

濕膜預光罩除膜工藝與 CMP的濕噴工藝類似，不同之處在于它是在矽片表面上覆蓋一層薄薄的膜材，使得經過預處理的矽片可以進行 CMP加工。 在濕膜預光罩中，矽片表面與金屬、有機物以及其他介質接觸以産生接觸反應，從而去除矽層中殘留的雜質。 采用這樣一種工藝可以大大降低由于化學機械抛光（CMP）過程而導緻的矽片變形現象，并且提高抛光效率。 對于較大的圓形矽片而言，其直徑通常為100 mm。若采用濕膜預光罩工藝對直徑為300 mm的圓片進行抛光，效率約為100%。 在生産過程中，由于 MBE對矽片要求很高，對設備要求也很高，所以它是目前使用較少的一種抛光工藝。

3.幹光罩

幹光罩又稱幹模，是在晶圓表面塗覆一層具有一定厚度的塗層，使晶圓表面具有一定的粗糙度。在濕磨或幹磨工藝中，由于濕磨液中的磨粒對膜面的作用不同，而導緻各工序之間所需的轉速、時間差異較大。 通過對濕光過程中各工序進行優化，可以有效地減少濕磨帶來的時間損失和工藝波動，提高效率。 另外，濕抛後殘留在芯片表面上的顆粒雜質和油污也會影響濕膜的質量，而此時需要再進行多次研磨和抛光才能将顆粒雜質去除幹淨。同時，由于顆粒粘附在矽片表面不能去除掉，導緻矽片表面出現較大劃痕。 為避免抛光後有殘留殘留物引起芯片良率下降、增加成本等問題，可在矽片上制備不同厚度的幹光罩。 幹光罩是将塗覆有一定厚度塗層的晶圓放置于塗覆有不同厚度塗層的濕膜預處理後制成的一個特殊光罩。