很多人覺得内存頻率越高速度越快，尤其是在英特爾12代酷睿處理器支持DDR5之後，不少人都想升級到DDR5，以為升級到DDR5就能獲得更高的性能。事實真的是這樣嗎？如下圖兩内存，都是同樣的芝奇的DDR4 3600MHz 16GBx2的内存，為什麼會有500 的價格差？因為它們有不同的CL時序，一個是18-22-22-42，另一個是16-19-19-39，這點區别就值500 。那麼内存CL時序到底是什麼？對性能又有什麼影響？

内存在存取數據時是以行列的方式進行，跟Excel表格類似，通過行列的方式定位數據。内存時序代表的是行列訪問所需要的周期數（周期數不等于時間），主要有四個分别是CL，tRCD，tRP，tRAS。CL代表内存訪問一次列所需的周期數，下圖為16，tRCD表示内存訪問一次行所需的最小周期數，下圖中的15，tRP表示打開下一行的最小周期數，下圖中為15，tRAS代表的是行活動到發出打開下一行的最小周期數。看起來很複雜，最重要的就是第一個，即CL。

CL全稱CAS Latency，内存訪問一次列的延遲時間，在頻率相同的情況下，CL值越小内存速度越快。就跟我們看小說一樣，隻要定位到了行，剩下的就是讀行中的每一列，直到讀完一行才會讀下一行。内存隻要定位到了數據所在的行，剩下的基本就是列操作，直到讀完一行才會進行一次行操作。所以CL值對内存來說非常重要。

從上表中可以發現CL（表中的CAS Latency）的值是随着内存頻率的增加而增大的。DDR5 4800MHz的CL值為40個時鐘周期，比DDR4更大。這也是為什麼DDR5比DDR4提升不大的原因，頻率高了延遲更大。由于CL是時鐘周期與内存頻率相關不好比較，所以要換成時間。CL延遲時時間=1/（DDR頻率/2）* CL周期數*1000。

公式中的1代表1秒鐘，内存頻率除以2，是因為DDR的全稱是Double Data Rate即雙倍數據傳輸速率，如下圖SDR不用除，QDR要除以4才是内存的時鐘頻率，因此上圖的DDR4，DDR5都要除以2 。乘1000是為了把微秒換成納秒。所以上圖DDR5 4800MHz的CL延遲時間=1/（4800/2）*40*1000=16.67ns。

内存的CL，tRCD等都是可以通過BIOS修改的，如下圖修改成1600MHz 16CL和1500MHz 15CL哪個更快？用上面的公式算CL延遲都是10ns，所以幾乎一樣快。決定内存速度的除了CL延遲以外，還有其它幾個。但CL影響更大。

現在我們來解決第一張圖為什麼後者比前者更貴的問題。2099的CL延遲時間為8.89ns，而1549的CL延遲時間為10ns，2099的存取速度更快，也因此更貴。