當X射線光子進入檢測器後,在Si晶體内激發出一定數目的電子空穴對。産生一個空穴對的最低平均能量是一定的,而由一個X射線光子造成的空穴對的數目,因此,入射X射線光子的能量越高,N就越大。利用加在晶體兩端的偏壓收集電子空穴對,經過前置放大器轉換成電流脈沖,電流脈沖的高度取決于N的大小。電流脈沖經過主放大器轉換成電壓脈沖進入多道脈沖高度分析器,脈沖高度分析器按高度把脈沖分類進行計數,這樣就可以描出一張X射線按能量大小分布的圖譜。
當X射線光子進入檢測器後,在Si晶體内激發出一定數目的電子空穴對。産生一個空穴對的最低平均能量是一定的,而由一個X射線光子造成的空穴對的數目,因此,入射X射線光子的能量越高,N就越大。利用加在晶體兩端的偏壓收集電子空穴對,經過前置放大器轉換成電流脈沖,電流脈沖的高度取決于N的大小。電流脈沖經過主放大器轉換成電壓脈沖進入多道脈沖高度分析器,脈沖高度分析器按高度把脈沖分類進行計數,這樣就可以描出一張X射線按能量大小分布的圖譜。