晶格能的主要影響因素是離子半徑、離子電荷以及離子的電子層構型。
1、離子半徑越小,晶格能越大。例如,随着鹵離子半徑增大,鹵化物的晶格能降低;
2、離子電荷,電荷越高,晶格能越大。
3、離子的電子層構型,離子外層電子越多,越容易發生離子極化,相應晶格能會下降。
晶格能的主要影響因素是離子半徑、離子電荷以及離子的電子層構型。
1、離子半徑越小,晶格能越大。例如,随着鹵離子半徑增大,鹵化物的晶格能降低;
2、離子電荷,電荷越高,晶格能越大。
3、離子的電子層構型,離子外層電子越多,越容易發生離子極化,相應晶格能會下降。