半導體的常用摻雜技術主要有兩種，即高擴散和離子注入。摻入的雜質主要有兩類，第一類是提供載流子的受主雜質或施主雜質，第二類是産生複合中心的重金屬雜質。
熱擴散技術是對于施主或受主雜質的摻入，就需要進行較高溫度的熱擴散。為了讓晶體中産生出大量的晶格空位，所以，就必須對晶體加熱，讓晶體原子的熱運動加劇，以使得某些原子獲得足夠高的能量而離開晶格位置、留下空位。
離子注入技術是為了使施主或受主雜質原子能夠進入到晶體中去，需要首先把雜質原子電離成離子，并用強電場加速、讓這些離子獲得很高的動能，然後再直接轟擊晶體。
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