内存卡屬于閃存flash類型的産品。
閃存是以單晶體管作為二進制信号的存儲單元，其結構與普通的半導體晶體管非常類似，區别在于閃存的晶體管加入了“浮動栅（floating gate）”和“控制栅（Control gate）”。浮動栅用于貯存電子，表面被一層矽氧化物絕緣體所包覆，并通過電容與控制栅相耦合。當負電子在控制栅的作用下被注入到浮動栅中時，NAND單晶體管的存儲狀态就由1變成0；而當負電子從浮動栅中移走後，存儲狀态就由0變成1。包覆在浮動栅表面的絕緣體的作用就是将内部的電子“困住”，達到保存數據的目的。
如果要寫入數據，就必須将浮動栅中的負電子全部移走，令目标存儲區域都處于1狀态，隻有遇到數據0時才發生寫入動作，但這個過程需要耗費較長的時間，導緻不管是NAND還是NOR型閃存，其寫入速度總是慢于數據讀取的速度。
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